掃描電鏡電子束穿透深度差異引發(fā)的淺層信息混疊
掃描電鏡?成像時，入射電子束轟擊樣品之后會在材料內(nèi)部形成一定范圍的電子作用區(qū)，電子束會穿透樣品表層向內(nèi)部擴散，穿透深度由加速電壓和樣品材料密度共同決定。采集二次電子信號時，只有極淺表層產(chǎn)生的電子可以逸出被探測。
MORE INFO → 常見問題 2026-11-02
掃描電鏡?成像時，入射電子束轟擊樣品之后會在材料內(nèi)部形成一定范圍的電子作用區(qū)，電子束會穿透樣品表層向內(nèi)部擴散，穿透深度由加速電壓和樣品材料密度共同決定。采集二次電子信號時，只有極淺表層產(chǎn)生的電子可以逸出被探測。
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掃描電鏡?依靠二次電子信號采集樣品表面形貌信息，二次電子從樣品表面發(fā)射時具備發(fā)散特性，不同位置發(fā)射的電子出射方向各不相同，探測器擁有固定的接收角度范圍，只有落入收集窗口內(nèi)的電子才能夠被有效捕獲。
MORE INFO → 常見問題 2026-11-02
無掩膜光刻機依靠 DMD 芯片海量微鏡的翻轉(zhuǎn)控制光路通斷，實現(xiàn)數(shù)字圖形的調(diào)制輸出，微鏡本身屬于周期性陣列結(jié)構(gòu)，光束照射到 DMD 陣列表面時會發(fā)生多級衍射，產(chǎn)生大量偏離主光路的雜散光，這些雜散光經(jīng)過物鏡內(nèi)部鏡片多次反射散射之后，均勻彌散在整個曝光視場內(nèi)，形成基礎(chǔ)的背景灰霧劑量。
MORE INFO → 行業(yè)動態(tài) 2026-11-02
無掩膜光刻機?采用投影式光學(xué)曝光方式，光線垂直或者小角度入射到光刻膠層內(nèi)部，一部分光會在光刻膠與基底的分界面發(fā)生反射，反射光和入射光相互干涉，在光刻膠膜層內(nèi)部形成周期性強弱交替的駐波場，直接改變光刻膠縱向方向上的曝光能量分布。
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多信號協(xié)同分析系統(tǒng)依托掃描電子束激發(fā)樣品產(chǎn)生的各類特征信號，實現(xiàn)微觀形貌、元素信息一體化表征，是微納工藝質(zhì)控、失效分析不可或缺的核心設(shè)備。
MORE INFO → 常見問題 2026-10-30
微納形貌表征系統(tǒng)是面向材料、半導(dǎo)體與微納加工領(lǐng)域的高端分析設(shè)備，依靠高能電子束與固體樣品表面的相互作用獲取微觀信息，擺脫光學(xué)顯微鏡可見光波長帶來的衍射限制，能夠?qū)崿F(xiàn)納米尺度的表面形貌觀測。
MORE INFO → 常見問題 2026-10-30
大面積高效電子束光刻系統(tǒng)?屬于電子束直寫裝備體系內(nèi)的重要分支，和單點逐行掃描描摹輪廓的工作形式有著本質(zhì)區(qū)別，核心依托雙層可協(xié)同調(diào)節(jié)的光闌組件對原始電子束進行整形裁切，控制系統(tǒng)根據(jù)版圖拆分后的圖元信息動態(tài)調(diào)整兩組光闌的相對位置，實時生成不同長寬規(guī)格的矩形、梯形束斑，單次曝光動作即可完成一塊面狀圖元的寫入，從底層邏輯上減少...
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超高分辨電子束光刻系統(tǒng)?是微納制造領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)極限精細圖形制備的核心裝備，依托電子遠短于可見光的德布羅意波長特性，突破傳統(tǒng)光學(xué)光刻固有的衍射極限限制，整套曝光作業(yè)全程維持高真空腔體環(huán)境，避免電子束在傳輸路徑中和腔體內(nèi)殘余氣體分子碰撞散射，防止束斑發(fā)散、能量衰減以及軌跡偏移，保障束斑形態(tài)穩(wěn)定與定位精度。
MORE INFO → 行業(yè)動態(tài) 2026-10-30