掃描電鏡成像時，入射電子束轟擊樣品之后會在材料內部形成一定范圍的電子作用區(qū)，電子束會穿透樣品表層向內部擴散，穿透深度由加速電壓和樣品材料密度共同決定。采集二次電子信號時，只有極淺表層產生的電子可以逸出被探測；而背散射電子的逃逸深度更大，會攜帶表層下方一定深度區(qū)域的信息，兩種信號在成像過程中自然混疊在一起。

當樣品表面存在極薄覆膜、表層附著物、淺層埋入顆粒時，圖像會同時疊加表層形貌信號與下層基體的成分信號，無法單純依靠一張圖像區(qū)分信號來源。不同型號掃描電鏡的電子槍束流穩(wěn)定性、加速電壓調節(jié)梯度參數(shù)性能各不相同，相同電壓條件下，束斑質量差異也會改變電子作用區(qū)形態(tài)。如果使用偏高的加速電壓觀測超薄樣品或者薄膜結構，電子穿透更深，下層基體信號占比提升，表層細微形貌特征會被掩蓋，很難直接分辨表層薄膜本身的均勻性、微小破損，在薄膜工藝、涂層缺陷檢測場景中，會對結果判讀帶來干擾。