在絕緣基底或者表面絕緣光刻膠樣品曝光時，容易出現襯底充電效應，造成圖形扭曲、線寬不均、圖形邊緣毛刺，是電子束光刻工藝中高頻出現的工藝難題。電子束持續轟擊樣品表面，入射電子不斷在絕緣層累積，電荷無法快速導出，在樣品表面形成局部靜電場。這個額外電場會偏轉后續入射電子束的運動軌跡，使得電子束實際落點偏離預設坐標，圖形發生拉伸、扭曲，密集線條出現寬窄不一，嚴重時圖形整體變形完全無法使用。

充電效應的強弱和基底導電性能、光刻膠厚度、電子束能量、曝光劑量直接相關?；讓щ娦栽讲?，電荷泄放速度越慢，充電現象越突出；光刻膠膜層越厚，電子難以到達導電基底，電荷更容易在表層堆積。高束流、長時間連續曝光會加速電荷累積，局部靜電場持續增強。不同品牌型號設備，電荷中和系統的配置與性能參數不同，中和電子的補償能力存在差距，同樣樣品在不同設備上加工，畸變程度差異明顯。部分設備配套低能電子中和模塊，可以主動抵消表面積累電荷，而基礎型號缺少該功能，絕緣樣品加工難度顯著提升。

針對襯底充電問題，有多種成熟的改善方案?；A的方式是在絕緣樣品表面蒸鍍一層極薄導電金屬膜，為電荷提供泄放通道，加工完成后再去除導電層；也可以選用導電型光刻膠，從材料層面降低電荷堆積。設備端可開啟電荷中和裝置，利用低能電子束平衡表面積累正電荷，同時優化掃描策略，降低單次區域曝光束流，采用分區間斷曝光，給電荷預留釋放時間。工藝參數層面，可以適度調整加速電壓，減少電子在表層的滯留比例，搭配劑量測試，修正畸變帶來的線寬偏差。樣品制備階段，保證導電膠充分貼附樣品與樣品臺，降低接觸電阻。綜合調整樣品制備、掃描策略、設備中和參數，能夠大幅削弱靜電場對電子束的干擾，提升絕緣基底納米圖形的加工保真度。