掃描電鏡在選用低加速電壓開(kāi)展觀測(cè)時(shí)，從樣品表層激發(fā)出的二次電子能量普遍偏低，這類(lèi)電子在向探測(cè)器行進(jìn)的途中極易受到樣品表面電場(chǎng)、殘余磁場(chǎng)以及腔體內(nèi)部氣體分子的干擾。二次電子的逸出深度被限制在樣品極薄的表層區(qū)間，信號(hào)幾乎完全來(lái)源于表面數(shù)納米范圍，能夠忠實(shí)反映表層形貌變化，但信號(hào)本身的穿透能力薄弱，如果樣品表面存在極薄的氧化層或者吸附污染物，就會(huì)直接阻擋一部分二次電子向外逸出，削弱局部信號(hào)強(qiáng)度。

不同材質(zhì)、不同晶面的表面功函數(shù)存在差異，會(huì)改變電子逸出的難易程度，讓成像襯度不再單純由幾何形貌決定，出現(xiàn)形貌相近區(qū)域明暗不一致的現(xiàn)象。與此同時(shí)，探測(cè)器收集柵壓的設(shè)置會(huì)篩選不同能量區(qū)間的低能電子，柵壓參數(shù)調(diào)整之后，被捕獲的電子占比隨之變化，直接改變整張圖像的襯度基調(diào)，這也是同一樣品更換觀測(cè)參數(shù)之后畫(huà)面觀感出現(xiàn)明顯區(qū)別的核心原因。